美光本土投产新一代内存工艺
5 月 24 日讯，美光科技正式启动弗吉尼亚州马纳萨斯工厂 1α 制程 DRAM 量产，该项工艺首度落地美国本土。
该扩建项目总投资超 20 亿美元，其中 2.75 亿美元来自美国芯片法案补贴。项目落地后，
工厂 DDR4 晶圆产能将扩容四倍，预计 2026 年底完成投产交付。
工厂 DDR4 晶圆产能将扩容四倍，预计 2026 年底完成投产交付。
1α 制程单元尺寸突破 15 纳米，存储位密度相较上代 1z 制程提升 40%。作为美国本土唯一内存厂商，
这座工厂产品主要供应汽车、军工航天、工业网络、医疗设备等领域。
这座工厂产品主要供应汽车、军工航天、工业网络、医疗设备等领域。
当前行业产能普遍向 DDR5、LPDDR5X、HBM 高端存储倾斜，DDR4 货源持续紧张。
美光此次针对性增设专用产线补足供给，同时规避与 AI 高端存储产能相互挤占。
美光此次针对性增设专用产线补足供给，同时规避与 AI 高端存储产能相互挤占。
项目可新增超 3100 个就业岗位，也是美光累计 2000 亿美元本土投资规划的重要组成部分。
