当前 DDR5 内存价格大幅走高，较去年同期涨幅超 3–5 倍，本轮涨价核心并非通用内存需求激增，

而是全球存储巨头全力投产 AI 专用 HBM 内存，挤压了 DDR5 产能供给。

HBM 采用多芯堆栈架构，单颗 HBM 所需芯片产能约为普通 DDR5 的 3–4 倍。三星、SK 海力士、美光三大厂商今年整体扩产幅度仅约 5%，

且新增产能大多倾斜至 HBM 生产，通用 DDR5 产能持续收紧。

据韩媒消息，三星今年 HBM 出货量将从去年 40 亿 Gb 增至 110 亿 Gb，同比翻近 3 倍；SK 海力士 HBM 产能由 120 亿 Gb 提升至 200 亿 Gb，

仅两家合计 HBM 产能便超 300 亿 Gb。美光 HBM 产能相对偏低，约 70–80 亿 Gb，同样较去年暴涨 3–4 倍，多数产能同样优先供给 HBM。

仅三星与 SK 海力士合计 300 亿 Gb 的 HBM 产能，换算约 35–40 亿 GB。而英伟达、AMD 新一代 AI 显卡搭载 HBM4，

单卡容量普遍突破 400GB，对应可支撑 700 万至 1000 万块 AI 显卡的产能需求。

受生产良率、产品规格差异影响，实际显卡出货量或低于理论值，但海量 HBM 产能倾斜，直接大幅挤占通用 DDR5 内存的生产空间，

最终导致 DDR5 供给紧缺、价格飙升。