5 月 12 日消息，韩国海关最新进出口数据，印证了全球存储市场正迎来一轮疯狂涨价浪潮，DRAM、NAND 闪存价格全线飙涨，

深度波及全球内存与固态硬盘产业链。业内预判，当前供需失衡格局至少将持续 2 至 3 年。

在 AI 超级周期强力拉动下，全球存储需求创下历史峰值，韩国半导体厂商成为最大受益者，营收与利润同步大幅攀升。

数据显示，截至 2026 年 5 月 10 日的近一月内，各类存储品类涨幅惊人：

NAND 闪存单月环比大涨 63.1%，同比飙升 351.6%；

DRAM 裸芯片环比上涨 20.9%，同比涨幅逼近 500%；
HBM 高带宽内存环比涨价 18.7%，同比涨幅 165.5%；
整体内存品类环比上涨 28.8%，同比涨幅高达 326.3%。

市场呈现明显冰火两重天态势。据集邦咨询数据，消费级 TLC SSD 现货价格不涨反跌，区间跌幅达 30%—40%，

主要受 PC 终端需求低迷、消费级存储库存高企拖累。

反观企业级合约市场行情持续走强：MLC 架构 SSD 合约价大涨 50%，SLC 架构 SSD 合约价上涨 20%。三星、SK 海力士、美光、铠侠等行业巨头，

已将超八成先进产能倾斜至 AI 专用存储赛道。机构预测，本季度 NAND 合约价格仍将维持强势，预计涨幅可达 70%—75%。

需求爆发远超供给扩容速度，而新建晶圆厂从落地到投产周期漫长，至少需要 2 至 3 年才能形成有效产能释放。三星更是明确预判，

2027 年存储供需紧张程度或将超过 2026 年。

与此同时，国产存储厂商正加速突围崛起，国内 DRAM 企业持续扩产增效，依托本土旺盛的 AI 市场需求，稳步强化自研自产实力，

有望对冲海外供给紧缺与价格暴涨带来的冲击，进一步降低对国际存储巨头的依赖。