Intel 封装良率超九成
5 月 11 日消息，在先进制程代工领域，英特尔近期接连取得进展，苹果、特斯拉均有意采用其 18A、14A 工艺，
不过相关营收与台积电仍存在不小差距，短期内难以实现赶超。
不过相关营收与台积电仍存在不小差距，短期内难以实现赶超。
不过英特尔不必只依赖先进工艺抢市场，凭借自研EMIB 先进封装技术，同样有望斩获行业大额订单。这项深耕多年的独家 2.5D 封装技术，
目前已推出 EMIB-T、EMIB-M 两大产品形态。
目前已推出 EMIB-T、EMIB-M 两大产品形态。
其中 EMIB-M 采用搭载 MIM 电容设计的硅桥电路，可有效抑制信号杂讯，强化电力传输效率与信号完整性。虽成本略有提升，
但凭借更出色的稳定性与更低漏电特性，深受高端客户青睐。
但凭借更出色的稳定性与更低漏电特性，深受高端客户青睐。
行业报告显示，英特尔 EMIB 封装技术良率已突破90%，市场竞争力凸显。同时英特尔还定下更高目标，
力争将 FCBGA 良率提升至 98% 以上，看齐行业顶尖水准。
力争将 FCBGA 良率提升至 98% 以上，看齐行业顶尖水准。
客户层面，谷歌下一代 TPU、英伟达新一代 Feynman GPU 均计划采用英特尔 EMIB 封装，Meta 也敲定 2028 年新款 CPU 落地该技术方案。
如今又迎来重磅新客户 ——SK 海力士。HBM 内存是其核心战略产品，对封装工艺要求严苛，此前长期依赖台积电 CoWoS 封装。
目前 SK 海力士已转向测试英特尔 EMIB 技术，开始接收搭载该技术的基板，开展 HBM 与系统半导体的整合验证。双方合作尚处在初期研发阶段，
但 SK 海力士已同步推进 EMIB 2.5D 封装测试，并着手筛选量产所需的材料与配套零部件备选方案。
但 SK 海力士已同步推进 EMIB 2.5D 封装测试，并着手筛选量产所需的材料与配套零部件备选方案。
