海力士布局新一代 HBM 内存
4 月 23 日消息，SK 海力士召开 2026 年第一季度财报电话会议。高管透露，公司 HBM4E 内存研发进展顺利，
目标 2027 年实现量产，将于 2026 年下半年启动样品出货。
目标 2027 年实现量产，将于 2026 年下半年启动样品出货。
该产品将采用经过多产品验证、良率与量产能力成熟的 1c nm 制程 DRAM 裸片，基础裸片也正围绕客户性能需求进行最优技术开发。
SK 海力士方面表示，谷歌 TurboQuant 等数据压缩技术旨在提升内存使用效率，并非削减内存需求。随着 AI 服务普及与场景多元化，
全球内存需求将持续增长，存储半导体市场也将进一步分层发展。
全球内存需求将持续增长，存储半导体市场也将进一步分层发展。
闪存业务上，SK 海力士计划 2026 年将韩国本土过半产能切换至 V9 NAND 闪存，从 176 层 V7 进阶至 321 层 V9，大幅提升闪存生产效率。
产能布局方面，公司未来扩产重心聚焦龙仁半导体产业集群，暂无新建及收购晶圆厂计划，同时将灵活适配全球内存市场中长期需求增长。
