4 月 20 日消息，据日经亚洲 4 月 18 日报道，全球内存芯片供应紧缺局面或将持续至 2027 年。尽管美韩主流存储厂商均在扩建 DRAM 产能，

但整体增产幅度仅能满足六成市场需求。加之中东地缘局势动荡，电力与原材料成本持续走高，行业供给不确定性进一步加剧。

三星电子计划年内启用韩国平泽园区第四座晶圆厂，不过工厂全面量产要到 2027 年甚至更晚。该厂同时兼顾逻辑芯片生产，

一定程度上挤占了内存产能扩张空间。在建的第五座晶圆厂将专攻 AI 芯片所用的 HBM 高带宽内存，量产时间推迟至 2028 年及以后。

三星内存业务负责人金在俊表示，全行业产能扩张受限，2025 至 2027 年内存整体供给增量有限。

SK 海力士已于 2 月在清州落成一座 HBM 产线，是三大存储原厂中唯一可在今年释放新增产能的项目。与此同时，公司提速建设龙仁新厂，

项目完工时间较原计划提前三个月，预计 2027 年 2 月竣工。SK 集团会长崔泰源称，受晶圆紧缺、短期扩产难度较大影响，

AI 专用内存供需紧张或将延续至 2030 年。

美光计划 2027 年在美国爱达荷州、新加坡布局 HBM 产线，并于 5 月启动日本广岛新厂建设，力争 2028 年实现量产。

此外，美光在 1 月敲定收购力积电一座晶圆厂，对应产能预计 2027 年下半年投产。

三星、SK 海力士、美光三家合计垄断全球近 90% 的 DRAM 市场，同时几乎包揽全球 HBM 高端内存产能。

近年来三大厂商纷纷将产能重心转向高利润 HBM，放缓通用型内存扩产进度，自 2025 年秋季起内存供应持续偏紧，

今年一季度内存价格环比涨幅预计达 90%。

Counterpoint 数据显示，若要缓解市场短缺，2027 年前行业年产能需保持 12% 增速，而当前规划产能增速仅 7.5%。

机构研究总监黄敏秀表示，内存市场供需平衡预计要到 2028 年才有望恢复。叠加 AI 需求持续高涨，加之新产线良率爬坡周期漫长，

即便后续产能陆续释放，紧缺态势仍难以快速缓解。

目前全球 80%~90% 的内存芯片应用于 PC、智能手机与服务器领域，剩余份额供应汽车及工业市场。IDC 预测，

今年全球智能手机出货量将同比下滑 13%。

目前内存成本在入门级手机中占比已达 20%，预计年中将攀升至近 40%。成本压力持续挤压整机厂商利润，

手机品牌或将缩减生产规模，汽车零部件产业链也将面临内存供货短缺问题。