3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，三星电子西安NAND晶圆厂已正式量产V8（236层堆叠）3D NAND闪存。
本次制程升级于2024年启动，在原有V6（128层）产线基础上完成技术改造，以提升性能与生产效率，适配AI时代对高性能存储的需求。 实现V8 NAND量产后，三星西安厂已着手推进下一代286层堆叠V9 NAND，相关产线规划部署于X2厂区，计划2026年内完成切换并实现大规模量产。 堆叠层数是3D NAND技术实力的核心指标，更高层数意味着更大单颗容量、更强读写性能与更低单位成本，也是全球存储厂商技术角逐的关键赛道。 值得关注的是，国内头部NAND厂商长江存储已率先量产294层堆叠闪存，其自研Xtacking4.0技术更将堆叠层数突破至300层以上，

使得韩系厂商在200层以下产品市场面临愈发激烈的本土竞争。 技术竞赛之外，韩系存储巨头同步采取价格防御策略：三星计划将NAND晶圆年产量从2025年的490万片缩减至2026年的468万片，

SK海力士则由190万片降至170万片，两者减幅均在10%左右。 Omdia分析指出，韩厂此举一方面优先保障高利润的DRAM与HBM产能，另一方面也应对长江存储在通用NAND市场的强势冲击。 目前，三星与SK海力士合计占据全球NAND市场超60%份额，长江存储已稳居全球第三大3D NAND厂商。技术上，

长江存储存储密度达国际领先水平，良品率稳定突破90%，成本竞争力显著提升；产能方面，武汉三期工厂预计2026年下半年投产，

月产能目标30万片，三年内有望实现产能接近翻倍。