存储短缺,英伟达躺赢
3 月 9 日消息,全球存储芯片供应持续紧张,价格不断上涨,已带动手机、PC 等消费电子产品涨价。对此,英伟达创始人黄仁勋却持积极态度,
他在采访中表示,存储短缺对英伟达而言是利好,会让客户在资源受限情况下,更倾向于选择性能最强的技术方案。
黄仁勋还公开表态,无论存储厂商扩产多少,英伟达都会全部承接使用,强势需求为存储行业景气度提供有力支撑。业内普遍认为,英伟达大举备货,
主要是为新一代 Vera Rubin AI 平台做准备,其对存储的需求呈几何级增长。
以 GB300 芯片为例,HBM 高带宽存储容量已达 288GB,较上一代 GB200 的 192GB 大幅提升。下一代 Vera Rubin 架构将维持 288GB 容量,
存储规格升级至 HBM4,采用 16 层堆叠设计,工艺复杂度远超现有 HBM3E 的 12 层堆叠。
由于 16 层堆叠良率更低、损耗更大,生产同等容量需消耗更多存储资源,将进一步加剧全球 DRAM 供应短缺,使本就紧张的市场形势更严峻。
目前,三星、SK 海力士、美光三大 DRAM 原厂虽在扩产,但产能集中在利润更高的 HBM 与企业级产品,消费级存储短缺短期内难以缓解。
行业专家预计,未来一年内消费端存储紧缺局面仍将持续,随着数据中心对高性能存储需求持续增长,DDR6、移动端 LPDDR5 等产品价格或将继续走高。
