HBM 挤占产能，内存持续紧缺
3 月 5 日消息，受益于内存价格大幅上涨，南亚科技财报表现亮眼，公司方面更预测，内存紧缺状况将持续至 2028 年。
目前全球内存产能高度集中于三星、SK 海力士、美光三大厂商，合计市占率达 90%–95%。南亚科技为全球第四大内存芯片供应商，产品以中低端为主，
正处于从 DDR3、DDR4 向 DDR5 升级转型阶段。
正处于从 DDR3、DDR4 向 DDR5 升级转型阶段。
南亚科技总经理李培瑛在展望市场时表示，2025 年至 2026 年上半年全球内存新增产能有限，供应将持续偏紧；即便部分厂商有扩产计划，
产能释放也需要一定周期。
产能释放也需要一定周期。
他预计，内存供需紧张格局将持续到 2028 年之后才有望缓解，这一判断比三星、SK 海力士等头部厂商更为激进。市场更偏谨慎的观点则认为，
2030 年之前内存都将维持紧缺状态。
2030 年之前内存都将维持紧缺状态。
李培瑛指出，HBM 已成为重塑内存市场格局的关键因素。生产相同容量的 HBM，所需产能是普通 DDR 内存的 2–2.5 倍。
即便 HBM 需求仅占一成，也会消耗行业近四分之一的产能。当前 HBM 供应比 DDR 更为紧张，三星、SK 海力士、
美光均在加速推进 16 层堆栈 HBM4 的量产。
即便 HBM 需求仅占一成，也会消耗行业近四分之一的产能。当前 HBM 供应比 DDR 更为紧张，三星、SK 海力士、
美光均在加速推进 16 层堆栈 HBM4 的量产。
