3 月 1 日消息，EUV 光刻机实现商业量产已达 8 年，但其产能仍有较大优化空间。继 ASML 公布光源功率提升至 1000W 的新技术后，

欧洲微电子研究中心 IMEC 又带来全新突破。

与 ASML 从光源端提升功率不同，IMEC 此次聚焦 EUV 光刻后的PEB 曝光后烘焙环节。研究表明，在该阶段提高氧气浓度，可有效加快 MOR 型光刻胶的感光速度，

从而提升整体产能。

数据显示，将 PEB 环境中的氧气浓度从大气标准的 21% 提升至 50%，MOR 光刻胶感光速度可提高15%~20%。

这一提升意义显著：不仅能减少光刻胶消耗，还能直接提高单位时间产出，对提升 EUV 光刻机产量、降低芯片制造成本至关重要。

与 DUV 光刻主流使用的 CAR 化学增幅型光刻胶不同，EUV 光刻正全面转向 MOR 金属氧化物光刻胶，后者是提升光刻分辨率、缩小栅距、降低缺陷率的关键材料。