HBM4 战局升温：三星抢先机，海力士急追赶
《科创板日报》3 月 1 日讯 随着英伟达 Vera Rubin 平台量产节点临近，全球存储巨头围绕 HBM4 的份额争夺战正式打响，三星率先亮出关键底牌。
据 ZDNet Korea 报道，三星决定增大第六代 10nm 级 DRAM 芯片尺寸，以此同步提升 DRAM 与 HBM4 性能。HBM4 因 I/O 数量大幅增加，
需要更多 TSV 硅通孔，更大芯片面积可降低 TSV 密度、提升散热与可靠性，同时保障工艺稳定性。
需要更多 TSV 硅通孔，更大芯片面积可降低 TSV 密度、提升散热与可靠性，同时保障工艺稳定性。
不过，扩大 DRAM 尺寸也会降低单晶圆产出、压缩利润空间。此外，三星在 HBM4 上采用领先对手一代的 1c DRAM 技术，但目前良率仅 60% 左右，
公司正集中资源提升良率，力争抢先为英伟达实现大规模供货。
公司正集中资源提升良率，力争抢先为英伟达实现大规模供货。
三星对其 HBM4 技术信心十足，在量产启动仪式上表示，产品从开发阶段就设定超越 JEDEC 标准的性能目标，且量产初期便实现稳定良率与领先性能，
无需重新设计。
无需重新设计。
资料显示，JEDEC 最初将 HBM4 标准定为 8Gbps，目前已与英伟达协同测试，提升至 11.7Gbps。
在工艺对比上，三星 HBM4 基础芯片采用自家 4nm 工艺，明显优于 SK 海力士委托台积电生产的 12nm 方案；而 SK 海力士、
美光仍沿用与 HBM3E 一致的 1b DRAM 架构。
美光仍沿用与 HBM3E 一致的 1b DRAM 架构。
市场格局方面，三星已占据先发优势。Omdia 数据显示，2025 年第四季度三星 DRAM 市占率达 36.6%，超过 SK 海力士的 32.9%，
主要由 HBM 系列产品拉动。
主要由 HBM 系列产品拉动。
SK 海力士则在加速追赶，已将清州 HBM4 专属工厂 M15X 量产计划提前四个月，本月启动 1b DRAM 晶圆量产，初期月产能约 1 万片，年底计划提升至数万片。
TrendForce 集邦咨询指出，英伟达 Rubin 平台量产后将引爆 HBM4 需求，当前三大存储厂商验证已进入尾声，预计 2026 年二季度陆续完成。
三星凭借稳定性优势有望率先通过英伟达认证，与 SK 海力士、美光共同供货。
三星凭借稳定性优势有望率先通过英伟达认证，与 SK 海力士、美光共同供货。
