三星转型：发力 1c DRAM
2 月 26 日消息，据媒体报道，随着存储芯片技术持续迭代，三星正全面淘汰传统工艺，推进产能结构升级。自 2013 年率先量产 3D V-NAND 闪存以来，
三星便持续将 2D NAND 传统产线向 3D 堆叠架构转换。
三星便持续将 2D NAND 传统产线向 3D 堆叠架构转换。
历经十余年技术过渡，三星迎来产能调整的关键节点：其最后一条 2D NAND 产线即将正式退出历史舞台。该产线为华城 12 号线，
当前月产能约 8 万至 10 万片 12 英寸晶圆，三星最早将于今年 3 月停止该产线运营。
当前月产能约 8 万至 10 万片 12 英寸晶圆，三星最早将于今年 3 月停止该产线运营。
此次调整并非简单关停，而是产线的转型升级。该产线将被改造为 DRAM 后处理车间，专注承接金属布线、表面处理等前端工艺完成后的后续工序，
改造后可分担华城工厂其他 DRAM 产线的生产压力，全面提升整体生产效率。
改造后可分担华城工厂其他 DRAM 产线的生产压力，全面提升整体生产效率。
三星的工艺转型早有规划，在去年第四季度财报中，三星电子已明确提出，将推进传统工艺向先进工艺过渡，其中便包括终止 2D NAND 生产。
目前 2D NAND 仅应用于 U 盘等低成本存储设备，随着 3D NAND 全面普及，其市场需求大幅萎缩，全球主流 NAND 厂商均已基本完成向 3D 闪存的技术切换。
华城 12 号线完成升级后，三星的产能布局将进一步清晰化：华城工厂将专注生产 DRAM 内存，平泽工厂则兼顾 DRAM 与 NAND 闪存生产。
其中平泽 P4 产线原混用 DRAM、NAND 及晶圆代工业务，新规划下将聚焦 1c DRAM 生产；三星西安工厂将继续负责 NAND 闪存生产，并同步推进产线工艺转换。
三星此次产线调整，既是优化全球产能资源配置，也为下一代 HBM4 高带宽内存蓄力，1c DRAM 正是 HBM4 的核心基础部件。
按照规划，三星预计在今年下半年将 1c DRAM 月产能提升至 20 万片晶圆。
按照规划，三星预计在今年下半年将 1c DRAM 月产能提升至 20 万片晶圆。
