ASML EUV 技术再升级 量产仍需数年
2 月 25 日消息,荷兰 ASML 作为全球唯一实现 EUV 光刻机量产的厂商,其现有设备仍面临多项技术局限,尤以光源功率不足的问题最为突出,
直接制约了产能的进一步提升。
直接制约了产能的进一步提升。
近日 ASML 公布一项重大技术突破:成功将 EUV 光源功率翻倍提升至 1000W,实现革命性升级。据官方信息,当前量产 EUV 光刻机光源功率约 600W,
每小时晶圆产能仅 220 片;待光源功率提升至 1000W 后,产能将同步增至 330 片 / 小时,提升幅度达 50%。
每小时晶圆产能仅 220 片;待光源功率提升至 1000W 后,产能将同步增至 330 片 / 小时,提升幅度达 50%。
该技术突破的核心原理在于,ASML 采用 1um 预脉冲(PP)取代了原有 10um 方案,同时将锡滴喷射频率从每秒 5 万次提升至 10 万次,
以此实现 EUV 光产出效率的大幅提升。该技术架构不仅可支撑 1000W 功率目标,未来还能进一步拓展至 1500W 甚至 2000W 级别,
持续释放 EUV 光刻机的效率与产能潜力,大幅降低先进芯片的制造成本。
以此实现 EUV 光产出效率的大幅提升。该技术架构不仅可支撑 1000W 功率目标,未来还能进一步拓展至 1500W 甚至 2000W 级别,
持续释放 EUV 光刻机的效率与产能潜力,大幅降低先进芯片的制造成本。
不过该技术目前尚未实现量产,正式落地应用仍需数年时间。此次突破也让 ASML 的行业领先优势再度强化,竞争对手的追赶难度进一步加大。

值得关注的是,该项核心技术的研发团队汇集了全球科研力量,其中包含多名中国籍研究人员。相关技术论文的作者列表中,Qiushi Zhu、Yue Ma、
Haining Wang 均位列其中,Haining Wang 更是该论文的第一作者及宣讲人。

履历信息显示,Haining Wang 二十余年前曾荣获国家优秀自费留学生奖学金,2016 年取得美国康奈尔大学博士学位,同年加入 ASML,
担任 EUV 研发部门科学家及架构师,长期专注于 LPP 等离子体技术路线的研发与基础物理研究工作。