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172%+76%!内存全线暴涨

时间:2026/01/28

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1月26日消息,近期内存板块涨势如虹、势不可挡,高盛最新发布的报告揭示了DRAM市场一个罕见现象:


现货与合约价格出现严重失衡,现货价格大幅溢价于合约价格,其中DDR4现货价较合约价飙升172%,DDR5溢价亦达76%。


高盛明确指出,这种极端的价格剪刀差在过往行业周期中极难持续,最终几乎只剩下一条路,即合约价格被迫大幅补涨。


从价格走势来看,高盛数据显示,自2026年初以来,DDR5现货价格重新步入快速反弹通道;而DDR4现货价格的涨势更为迅猛,

自2024年9月起便一路上行,至今涨势仍未显现收敛迹象。


高盛分析认为,“现货领先、合约跟进”是DRAM市场的固有运行规律,在当前极端的溢价幅度下,下游客户在合约谈判中的议价能力几乎没有,

当前市场定价体系已严重脱节,这意味着合约价格的大幅调整势在必行。


一方面,上游供应商持续受益:对三星、SK 海力士、南亚科等DRAM原厂而言,合约价上涨将直接增厚营收与利润。


另一方面,下游客户成本压力陡增。下游服务器PC、手机等厂商议价能力进一步丧失,合约价补涨将直接推高其采购成本。


基于上述分析,高盛维持对三星电子与SK海力士的强烈看多立场。该机构指出,目前客户已开始接受2026年第一季度更为激进的涨价幅度,

这意味着整个存储芯片板块的获利预期仍有进一步上看的空间。


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