台积电助力,日本芯片工艺28nm跃4nm
12月11日消息,曾是全球半导体霸主的日本,近年已退守设备及材料领域,本土芯片工艺长期停留在28nm以上。如今其先进工艺有望实现跨越式突破,核心
原因是台积电日本熊本二厂的规划调整。
这座原计划升级6/7nm工艺的工厂近期停工,并非投资搁置,而是源于市场需求变化——当前6/7nm工艺需求疲软,
扩产恐加剧过剩,消息人士透露台积电
拟直接升级至4nm,以对接AI芯片的旺盛需求。
台积电今日回应称,不评论市场传闻,日本专案仍在推进,但实际动作暗藏调整:不仅二厂停工升级,已建成的一期
工厂也暂停扩产,原计划2026年新增的
设备投入,已告知供应商明年暂无相关计划。一期工厂主要生产40/28nm及16/12nm工艺产品。
不过4nm工艺升级并非易事,需配套EUV光刻设备,还将涉及投资增加、
厂商设计调整等问题。因此二厂也存在另一种可能:改建成先进封装工厂。当前AI芯片
对CoWoS封装需求迫切,而该业务此前集中于台积电本土工厂,日本扩产有望缓解AI产能压力。
尽管最终方案尚未敲定,但无论选择哪条路径,日本在半导体先进工艺
或封装领域,都将实现显著突破。
