10 月 22 日消息，美光总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 在技术研讨会上表态：历经二十余年研究，4F² DRAM 不存在可持续微缩路径，

其密度优势被过度神话。美光将放弃 4F² 路线，延续 6F² 并主攻 3D DRAM。

此番发言直指长鑫存储的技术计划。此前长鑫宣布，将于 2026 年底推出 4F² 架构 DDR5 RDIMM，

消息一度震动全球存储市场，三星、SK 海力士股价大幅下挫。

理论上 4F² 通过垂直堆叠压缩单元面积，相比 6F² 可缩减 30%-40% 芯片面积。但美光认为，密度瓶颈在于电容间距，4F² 并无本质优势，

且垂直沟道晶体管工艺难度大、设备昂贵、良率爬坡艰难，为换取面积缩减付出的成本得不偿失。

3D DRAM 从立体结构突破平面极限，量产风险更低、扩容空间更大。

长鑫选择 4F²，核心源于设备约束：受限于无法获取 EUV，在平面微缩路线受阻，4F² 是 DUV 环境下提升密度的可行方案。

当前行业路线已经分化：三星、SK 海力士双线评估；美光态度最坚决，跳过 4F²，将两代 3D DRAM 纳入长期路线，同步布局晶圆键合与垂直 HBM。