前沿晶圆产能顶限两倍
10 月 23 日消息,英特尔 CTO 普什卡・拉纳德谈及先进晶圆产能时坦言:就算资金充裕,全球尖端晶圆产量也很难提升十倍,合理上限仅约两倍。
他提到,过去十年 AI 算力年均增速接近三倍,但先进芯片制造的设备、洁净室、产线形成硬性约束。核心瓶颈在于 EUV 光刻机,
ASML 年产量不足百台,且扩产缓慢,英特尔、台积电、SK 海力士等企业都在争抢。
同时设备交付周期长达 18 个月,新增产能最快 2028 年才能释放。先进晶圆增产需要光刻机、零部件、材料、检测设备全链条同步扩产,
任一环节受限,产量都很难突破。
