蔡司备妥高 NA EUV 光学
10 月 21 日消息,蔡司韩国新任法人长在首尔受访时称,已为三星、SK 海力士的晶圆扩产做好配套准备。
德国蔡司始于 1846 年,主营半导体、医疗及工业测量光学组件,在光刻环节地位无可替代:ASML 的 EUV 光刻机核心镜头,
由蔡司独家供应,没有蔡司镜头,EUV 光刻机便无法组装。
本次采访核心围绕高数值孔径 EUV(High-NA EUV)。EUV 光源波长仅 13.5nm,高 NA 方案将镜头数值孔径由 0.33 提升至 0.55,
聚光与分辨率同步升级,业内预计 2–3 年内实现量产。
蔡司布局早于同行,六年前便启动高 NA EUV 配套光掩模量测方案研发,当前 AIMS 掩模检测设备迭代至 AIMS EUV 3.0。
产能端同步加码,今年 7 月蔡司扩建德国奥伯科亨半导体工厂,新增 2.5 万㎡厂房,生产高 NA EUV 光学系统与量测设备。
蔡司认为,供应链建设必须前置,等需求爆发再布局为时已晚。在韩国,龙仁半导体创新中心已于 7 月投用,现有两台设备,年内还将持续增补。
客户可驻场协同调试工艺,深度参与设备迭代;至于在韩设立研发中心,蔡司表示暂未敲定,但具备较高可能性。
