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硅晶圆缺口持续扩大

时间:2026/09/16

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快科技 9 月 15 日消息,AI 算力竞赛持续拉高硅晶圆需求,内存成为本轮供需缺口的核心驱动因素。机构预测,

全球硅晶圆供需缺口将由 2026 年底约 8%,扩大至 2027 年 15%、2028 年 24%,内存面临巨大成本压力。

需求端已经率先回暖。SEMI 数据显示,2026 年第二季度全球硅晶圆出货面积达 35.73 亿平方英寸,环比上涨 9.1%,

同比增长 7.4%,增长主力来自 AI 相关需求,内存为最大消耗板块。

供给端增长相对乏力。行业估算,2026 年全球 12 英寸硅晶圆月产能约 1069 万片;2027 年小幅增长 3% 至 1100 万片;

2028 年增幅约 6%,达到 1170 万 - 1176 万片。新增产能主要来自环球晶二期初期约 30 万片,以及合晶约 10 万片。

HBM 消耗晶圆面积最高,单颗 HBM 耗用晶圆面积约等同于 3 颗标准 DDR5 内存。预计 2027、2028 年 HBM 硅晶圆消耗量同比分别提升 23%、

28%,伴随 HBM 迭代升级与容量提升,DRAM 晶圆投入量将持续走高。三星、SK 海力士、美光、长鑫存储等厂商的新产能自 2027 年逐步投产,

到 2028 年合计新增月产能 35 万至 45 万片。

先进逻辑芯片同样拉动需求。AI 带动 3nm、2nm 及以下制程扩产,台积电、三星、英特尔同步布局先进产能。

预估 2027、2028 年逻辑制程硅晶圆消耗量同比分别增长 12%、11%。

业内分析认为,2027 年年中将迎来关键转折点。客户库存回归常态叠加新产能释放,若供给增速无法匹配需求,

2027 下半年至 2028 上半年或将迎来新一轮缺货抢货潮。

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