9 月 9 日消息，英特尔在先进芯片制造领域迎来重要进展，其晶圆代工部门官宣，

高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）晶圆累计处理量突破 100 万片。

该统计覆盖设备认证、研发测试以及部分产品层量产环节，意味着这项下一代光刻技术正从实验室验证阶段稳步落地产线。

英特尔透露，其 High-NA EUV 晶圆处理总量已超过全球其余厂商总和，在新一代光刻赛道抢占先发优势。

高数值孔径 EUV 是传统 EUV 光刻的升级方案，物镜数值孔径由 0.33 提升至 0.55，能够在晶圆上刻绘更精细电路图形，

有望简化繁琐的多重曝光工艺。放到先进制程中，可实现更高晶体管密度、降低制造难度，

为芯片性能与能效提升提供支撑，但设备成本与工艺管控门槛也随之大幅提高。

现阶段英特尔已在俄勒冈工厂部署至少三台 High-NA EUV 光刻机，用于部分 Intel 18A 制程生产。

官方称，依托该技术制造的 Panther Lake 处理器部分膜层，套刻精度、产能与设备可用率等核心指标均达到预期。

不过英特尔并未将整套 18A 制程全面切换新设备，仅选取关键层试产；同时继续使用传统 0.33NA EUV 加工相同层级，

方便对比两条技术路线的制造表现。实测结果显示，High-NA EUV 打造的 18A 膜层，性能已经持平甚至优于传统 EUV 方案。

客户现阶段仍可沿用原有 6 英寸光掩模适配 High-NA EUV，既能在掩模限制范围内完成芯片设计，

也可通过拼接工艺与工艺设计套件（PDK），满足大尺寸芯片制造需求。

英特尔表示，未来 AI 芯片对制造工艺的要求会持续走高，除更高性能与集成密度外，稳定量产能力、更低落地门槛同样关键。

凭借率先把 High-NA EUV 推向量产环境，英特尔意在为客户提供更成熟可靠的先进制程选项。