三星 HBM 逆袭
9 月 7 日消息,HBM 现已成为 AI 领域热度赶超 GPU 的核心芯片。此前 SK 海力士凭借 HBM 先发优势力压三星,坐稳存储龙头位置,
而如今三星依托 HBM4 实现反超,还收获了意料之外的利好。
据韩媒报道,三星将旗下 4nm 工艺 50‑60% 的产能倾斜供给 HBM4 的 Base Die 基础芯片。该工艺总月产能仅 3 万片晶圆,
也就是说,每月超 1.5 万片晶圆用于 HBM4 基础芯片生产。
就在两年前,三星代工业务还深陷产能利用率不足的困境,AI 芯片订单大多被台积电收入囊中。
三星 4nm 工艺仅有特斯拉、IBM 等少量客户,内部都难以消化全部产能。
步入 HBM 时代,三星相比 SK 海力士、美光两大对手形成独特优势:既可自研生产 HBM 存储裸片,
HBM 所需基础芯片也能够依托自有工艺完成制造。反观 SK 海力士与美光,基础芯片必须交由台积电代工,
早期采用 12nm 工艺,技术优势逐步丧失,目前正转向 5nm、3nm 工艺迭代。
相较于三星全链路自产模式,SK 海力士、美光受台积电代工约束,成本层面处于劣势,这也是三星在 HBM 赛道实现逆袭的关键因素。
数据显示,二季度 SK 海力士 HBM 全球份额由一季度 58% 回落至 50%;三星份额从 21% 大幅攀升至 33%;美光则由 21% 降至 18%。
按照当前发展态势,三星有望在今年第三、四季度完成对 SK 海力士的全面反超。
