9 月 2 日消息，AMD 在内部技术研讨会上公布一组实验数据：采用混合键合技术的 3D DRAM 架构，最高可实现较传统 HBM 堆栈 17 倍的能效提升，

同等功耗条件下，数据传输效率获得量级式进步。

传统 HBM 依靠 TSV 硅通孔完成 DRAM 垂直堆叠，芯片之间依旧依靠微凸块互连。焊料球连接会形成物理间隙，需要液态塑料填充，

由此带来寄生电阻、互连密度受限、散热受阻等一系列短板。

AMD 混合键合 3D‑DRAM 重构这套方案，把 DRAM 芯片直接堆叠在 XPU 处理器 / 加速器上方，消除传统 PHY 接口带来的性能瓶颈。

工艺层面舍弃微凸块，将晶圆抛光至原子级平整，依靠铜‑铜加温直接融合完成键合。

该项技术优势不止能效。DRAM 紧贴计算芯片，大幅缩短数据传输距离。AI 加速器中绝大部分功耗消耗在数据搬运，距离缩短可以直接降低能耗；

同时混合键合带来更高互连密度，狭小空间即可输出超大带宽。

尽管技术前景亮眼，但距离商用落地尚远。散热是最大拦路虎：混合键合工艺的高温环节，会造成 DRAM 电荷保持能力变差、刷新退化。

高发热的 DRAM 直接叠在同样高热的计算芯片之上，热量难以疏导。如何兼顾键合效能与 DRAM 运行稳定性，是 AMD 及整个行业需要攻克的核心难题。

该技术是 AMD 3D V‑Cache 路线的延续，从 CPU 堆叠 SRAM 缓存，进化到 XPU 直叠 DRAM，依靠垂直堆叠挖掘性能与能效潜力。

一旦散热难题被攻克，3D‑DRAM 或将重塑 AI 芯片、高性能处理器的内存架构格局。