9 月 2 日消息，瑞银最新研究报告指出，国内 EUV 光刻技术成熟度大致等同于 ASML 2004 年水准，存在至少 22 年技术差距，

报告判断未来十年难以拿出可替代 ASML 尖端 EUV 的设备。

该结论来自瑞银分析师对国内光源、激光子系统等方向专利的梳理。ASML 从 2004 年技术基底走向 EUV 大规模量产，耗时约 15 年。

据此判断，国产 EUV 在商业化、良率与产能层面还将长期处于追赶状态。

相对而言，门槛更低的浸润式 DUV 光刻机追赶进度更快。瑞银预测，国内有望 2‑5 年内实现浸润式 DUV 大规模量产。

浸润式 DUV 虽弱于 EUV，却是芯片制造关键装备，ASML 该机型单台售价约 9000 万美元，EUV 设备单价超 2 亿美元。

另有业内消息称，国产 EUV 或 2028 年实现先进芯片制造，外部机构则评估量产节点大概率推迟至 2030 年前后。

荷兰自 2024 年 9 月已对部分浸润式 DUV 实施出口许可管制。倘若国内如期实现 DUV 量产，荷兰现行关键管制手段效力或将大幅削弱。

ASML 预测，2026 年其中国市场营收占比，将由 2025 年 33% 下滑至 20% 左右。作为全球唯一 EUV 供应商，

ASML 正面对现实挑战：中国光刻产业追赶节奏，或许快于外界预期。