9 月 1 日消息，据媒体报道，长鑫存储已开启 HBM3E 内存风险试产，正式向高端高带宽内存领域迈进。

现阶段长鑫存储正加快产能布局，预计今年年底 DRAM 月产能将达到 35 万片晶圆，后续还将持续产能爬坡，匹配 AI 及高性能计算的市场需求。

目前 HBM3E 还处于风险试产初期，产出规模有限，大规模放量尚需时间。

按照 JEDEC 标准，HBM3E 位宽 1024‑bit，单引脚速率 9.2Gbps‑12.4Gbps，9.6Gbps 典型速率下带宽可达 1.2TB/s。存储堆叠上，

8 层堆栈容量 24GB，12 层堆栈可达 36GB，可充分满足 AI 加速器、数据中心对高带宽、大内存容量的使用需求。

参考长鑫存储过往从风险试产转向量产的推进节奏，市场预计 HBM3E 有望数周内迈入大规模量产。同时长鑫在洁净室建设上具备突出效率，

新建洁净室仅需 12 个月，远快于行业普遍两年的建设周期，为后续良率提升与产能扩张筑牢基础。