8 月 25 日消息，据报道，三星电子与 SK 海力士正同步加快国内 NAND 闪存产能布局，计划于明年前完成新一轮设备投资，

两大韩系存储巨头均将中国产线视作高端 NAND 量产的核心支柱。

值得一提的是，三星电子今年 5 月宣布退出中国家电业务，但明确半导体板块维持正常运营，西安、苏州工厂不会停产。

而 SK 海力士搁置近四年的大连 NAND 工厂也已重启建设。

三星已敲定西安工厂第九代 V9 NAND 的产线转换及追加投资规划。这款采用 280 层堆叠架构的 V9 NAND 属于当前第一梯队闪存产品，

规划月产能可达 4‑5 万片晶圆。为保障量产稳定性，三星计划增购刻蚀设备，设备订单有望在今年年底敲定，追加投资将于明年下半年落地。

SK 海力士则从今年三季度开始，在大连二厂开展 NAND 产线升级的设备投入，目标月产能 3 万片晶圆，相关投资将延续至明年。

大连工厂本轮扩产标志着 SK 海力士在华 NAND 建设进入实质加速期，整体产能预计提升 50%。

两大韩系存储厂商加码国内产线投资，凸显中国工厂在其高端 NAND 布局中的战略地位持续抬升，本轮扩产也将进一步增强其高端闪存的供货实力。