| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.35V |
| 温度规格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 标准包装数量 | 1120 |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 6th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
K4B4G1646E-BYMA
制造商IC编号 K4B4G1646E-BYMA 厂牌 SAMSUNG/三星 IC 类别 DDR3L SDRAM
制造商IC编号 K4B4G1646E-BYMA：
厂牌 SAMSUNG/三星：
IC 类别 DDR3L SDRAM：
IC代码 256MX16 DDR3L：
共通IC编号 K4B4G1646E-BYMA0：
K4B4G1646E-BYMA000：
K4B4G1646E-BYMA00P：
K4B4G1646E-BYMA0CV：
K4B4G1646E-BYMAT：
K4B4G1646E-BYMAT00：
K4B4G1646E-BYMAT000：
K4B4G1646E-BYMATCV：