8 月 10 日消息，SK 海力士董事会正式批复约 54.3 万亿韩元（折合 2590 亿元人民币）新工厂建设方案，

落地京畿道龙仁 Y2、清州 M17 两大晶圆厂区。

其中龙仁 Y2 主攻 DRAM，投资 35.2 万亿韩元（约 1679 亿元人民币）；清州 M17 聚焦 NAND 闪存，

投资 19.1 万亿韩元（约 911 亿元人民币）。该笔资金仅用于厂房土建，后续 Y2 设备投入或将高达 120 万亿韩元（约 5724 亿元人民币），

项目整体总投入有望突破 150 万亿韩元（约 7155 亿元人民币）。

面对巨额扩产，不少消费者会误以为产能释放后内存涨价行情即将终结，但实际情况并非乐观。

M17 首批无尘室预计 2028 年 12 月投用，Y2 更是要等到 2027 年 7 月才动工，首批无尘室 2029 年 6 月方可启用。

且无尘室落成仅代表进场装机调试，不等于产品量产出货。

SK 海力士公告明确，厂房按整体规划建设，但无尘室扩建、设备导入会跟随市场需求分阶段实施，优先保障资本回报。

简单来说厂房先行搭建，占成本大头的设备采购，要等待需求明朗后才会落地。

产品规划同样不利于消费级市场：Y2 厂区核心生产 HBM 高阶存储，HBM 产能挤占正是 DDR5 产能被压缩的关键因素。

当前 SK 海力士已有 30% 的 DRAM 晶圆产能供给 HBM，机构预测 2027 年该占比将逼近 40%。

SK 海力士将本次巨额投资定性为产业结构性转型，并非短期周期行情。同时援引 Omdia 预测，

DRAM 与 NAND 市场到 2030 年仍将维持年均 19% 的增长幅度。