8 月 10 日消息，媒体披露 SpaceX 官宣携手特斯拉，斥资 168 亿美元于美国得州联手打造 Terafab 芯片工厂。

有博主结合工厂公示信息分析，马斯克或将采用自由电子激光（FEL）技术，对标阿斯麦 LPP EUV 光源方案，打破现有 EUV 光刻技术垄断。

马斯克随后在社交平台留下 “FEL FTW”，加之 Terafab 狭长式厂房布局，也佐证了外界关于 FEL 路线的猜想。

FEL 凭借高功率、高相干、波长可调、能效出众等特质，理论可把光刻光源从现行 13.5nm 缩短至 6nm 甚至更低，延续摩尔定律发展周期，

引得业界广泛探讨。但该项技术落地商业化阻碍重重，巨型加速器设备、巨额建厂开支、量产稳定性问题，都是亟待攻克的难关。

依照 SpaceX 官方说明，Terafab 覆盖先进逻辑芯片、存储芯片制造及封测全链条，用以加快芯片迭代落地，

为 SpaceX 航天算力需求搭建自主可控的芯片供应链。