台积电 2 纳米流片量暴涨四倍
7 月 17 日消息,台积电高级副总裁 Kevin Zhang 透露,公司 2 纳米(N2)工艺市场热度超预期,目前流片数量达到 3 纳米同期的四倍,
头部客户正加速将研发重心转向新一代制程。
此次需求爆发,核心得益于 N2 工艺首次搭载的 GAA 环绕栅极晶体管技术。相较前代工艺,其能效优势突出:功耗不变时性能提升 15%,
同等性能下功耗降低 30%,同时晶体管密度提升约 15%,为芯片设计提供更高灵活性,可通过缩小芯片面积控本,或在同等尺寸下强化算力表现。
台积电已于 2025 年第四季度开启 2 纳米工艺量产,目前该制程营收占比约 3%,而 3 纳米、5 纳米分别贡献 30%、33%。随着 AMD、
苹果等头部客户的服务器、手机旗舰芯片陆续落地交付,2 纳米营收占比将持续攀升。
当前先进制程研发与制造成本持续走高,而 2 纳米流片量的成倍增长,将成为台积电后续营收与利润增长的核心动力。
技术布局层面,台积电持续完善 2 纳米制程矩阵,今年下半年将推出优化功耗性能的 N2P 版本,2027 年落地高性能 N2X 节点,2028 年迭代 N2U 工艺。
持续迭代的长寿命制程体系,将进一步巩固台积电先进制程的行业龙头地位,持续增厚未来业绩。
