国产扩产，改写存储格局
5 月 29 日消息，本轮存储芯片暴涨由 AI 算力需求引爆，供需错配带动现货价格暴涨 5 至 10 倍，下游电子制造业成本承压。
三星、SK 海力士、美光、铠侠等海外巨头垄断全球九成以上存储产能，借涨价周期大幅盈利，
且集体暂缓大规模扩产，以建厂周期长、防范产能过剩为由严控新增产能。
三星、SK 海力士、美光、铠侠等海外巨头垄断全球九成以上存储产能，借涨价周期大幅盈利，
且集体暂缓大规模扩产，以建厂周期长、防范产能过剩为由严控新增产能。
市场格局迎来变量，长鑫存储、长江存储已实现 DRAM 与 NAND 国产化量产，此前受产能受限、连年亏损拖累，
扩产进度偏缓；本轮存储涨价恰好成为国产存储突围窗口期，行业盈利改善叠加两家企业冲刺 IPO 募资，大额建厂计划落地提速。
扩产进度偏缓；本轮存储涨价恰好成为国产存储突围窗口期，行业盈利改善叠加两家企业冲刺 IPO 募资，大额建厂计划落地提速。
据摩根士丹利研报，长江存储同步推进 Fab3/4/5 厂区建设，2027 年月产能目标 8.5 万片晶圆，
2028 年升至 10 万片；长鑫扩产节奏更快，2026–2028 年月产能依次规划至 8 万、9 万、10 万片。
两家企业还计划两年内新建 2 至 3 座晶圆厂，整体产能扩容至现有 2～3 倍。
2028 年升至 10 万片；长鑫扩产节奏更快，2026–2028 年月产能依次规划至 8 万、9 万、10 万片。
两家企业还计划两年内新建 2 至 3 座晶圆厂，整体产能扩容至现有 2～3 倍。
目前国产存储全球产能占比约 5%–15%，中位值 10%；结合海外厂商小幅增产预期，机构预判 2028 年国产存储市占率有望攀升至 20%–25%，
对标美光现有份额，稳居全球第三。依托成本定价优势，国产存储放量后将打破海外巨头定价垄断，终结存储单边暴涨局面。
对标美光现有份额，稳居全球第三。依托成本定价优势，国产存储放量后将打破海外巨头定价垄断，终结存储单边暴涨局面。
