4 月 7 日消息，据 TrendForce 集邦咨询最新存储产业研究显示，存储大厂退出 DDR4 及以下成熟制程产品的策略仍在持续推进，市场供给结构持续收紧，

推动消费型 DRAM 价格在近几个月迎来大幅上涨。

今年一季度，消费型 DRAM 价格已大涨 75%-80%，集邦咨询预计，2026 年第二季度其合约价仍将环比增长 45%-50%。

3 月涨价动能主要集中在 4Gb 以下小容量产品，其中 DDR4 4Gb 均价环比涨幅超 20%，显著高于高容量产品。

与此同时，DDR3、DDR2 市场开始出现转单需求，受产能严重紧缺影响，3 月二者各容量产品均价上调 20%-40%，涨幅远超 DDR4。

三星、SK 海力士、美光三大原厂正逐步关停 DDR4 产线，供需缺口持续扩大；叠加产能向 DDR5、HBM 等先进制程转移，进一步加剧成熟存储产品供给紧张态势。

业内分析认为，大厂退出成熟制程的短期趋势难以扭转，供给收缩将持续主导市场行情，转单效应预计在未来几个季度持续放大，

部分下游厂商已启动提前备货，应对后续更大幅度涨价。