三星硬气涨价破崩盘传闻
4 月 6 日消息，近期内存市场波动加剧，现货价格小幅回调便引发 “内存崩盘” 的恐慌论调，相关个股也随之走低。但行业龙头三星不为所动，
依旧按计划上调 DRAM 价格，直接打破市场悲观预期。
依旧按计划上调 DRAM 价格，直接打破市场悲观预期。
据韩国媒体 ETNews 报道，三星已在 2026 年第二季度对全系列 DRAM 产品实施平均 30% 的环比涨价。而今年一季度，其 DRAM 价格同比已大涨 100%，
连续两轮大幅提价，力度远超市场预期。
连续两轮大幅提价，力度远超市场预期。
本次涨价覆盖全线产品，既包含 AI 核心的 HBM 高带宽内存，也涉及服务器、PC 及智能手机所用的消费级 DRAM。按此计算，
2025 年初售价 1 万韩元的 DRAM 芯片，一季度后涨至 2 万韩元，本轮再涨后将达到 2.6 万韩元。
2025 年初售价 1 万韩元的 DRAM 芯片，一季度后涨至 2 万韩元，本轮再涨后将达到 2.6 万韩元。
业内普遍预计，三星官宣涨价后，SK 海力士、美光两大存储巨头也将迅速跟进，所谓 “消费级内存崩盘” 的传言将不攻自破。
业内人士指出，近期内存价格承压并非需求走弱，而是前期囤货商家恐慌性清库带来的短期波动。DRAMeXchange 数据显示，截至 3 月底，
PC 端 DDR4 8Gb 颗粒合约价环比持平，并未出现大幅下跌。
PC 端 DDR4 8Gb 颗粒合约价环比持平，并未出现大幅下跌。
SemiAnalysis 数据则显示，移动端 LPDDR5 自 2025 年一季度以来累计涨幅已达 3 倍，当前合约价约 10 美元 / GB，预计 2027 年仍将保持两位数增长。
存储涨价已显著冲击终端市场：目前入门级智能手机物料成本里，DRAM 占比达 35%，NAND 闪存占 19%，两项合计已超整机成本一半，
后续终端产品涨价压力将持续加剧。
后续终端产品涨价压力将持续加剧。
