4月3日消息，据媒体报道，三星近日宣布，计划于2030年前实现1nm工艺量产，成为业内首个公开1nm节点时间表的厂商，意在与台积电争夺先进制程主导权。 目前台积电最先进制程路线已进入埃米级时代，下一代A14（1.4nm）工艺预计2028年投产。台积电表示，A14将显著提升运算速度与能效，

助力AI转型，并强化终端设备智能能力。
该工艺开发进展顺利，良率优于预期，搭载超级电轨（SPR）技术的版本计划2029年推出。 此外，台积电2nm家族的A16工艺作为其埃米级制程起点，预计2026年下半年量产。业内消息称，OpenAI自研ASIC芯片由博通、迈威尔等厂商合作开发，

已在台积电3nm及A16工艺投片。 据业内人士透露，三星晶圆代工规划2030年前完成1nm研发并实现量产。1nm晶体管密度达到2nm的两倍，技术难度大幅提升，

被视作芯片微缩的关键里程碑。 为突破物理极限，三星1nm将从现有环绕栅极（GAA）架构转向叉型片（Fork Sheet）结构，

通过在纳米片间增加绝缘层进一步提升晶体管密度，优化功耗与性能。 在AI高端芯片需求持续旺盛的驱动下，三星持续加大研发与资本开支，2025年相关投入达90.4兆韩元，2026年计划再增22%，

彰显其追赶并超越对手、抢占AI芯片与HBM等高增长领域话语权的决心。 与此同时，三星也在持续优化现有先进制程，积极争取核心客户订单。业内消息显示，三星已推出定制化2nm工艺SF2T，

主要为特斯拉下一代AI芯片AI6供货，预计2027年在其德州新厂量产。