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国产存储低价搅局全球内存市场

时间:2026/02/05

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2月4日消息,全球内存价格持续飙升之际,国内DRAM巨头长鑫存储的低价策略,让本就躁动的存储器市场陷入激烈的多空博弈。

据悉,长鑫存储将32GB DDR4-3200 ECC内存模组定价138美元,该价格仅为当前国际市场300-400美元行情的约三分之一,

这一“破盘价”瞬间引发全球市场震动。 这一举措直接引发市场恐慌,投资者担忧存储器产业将重回红海竞争,此前3日早盘回暖的内存

板块随即承压下挫。其中DRAM双雄华邦电、

南亚科首当其冲,当日分别暴跌9.05%、5.61%;群联、品安等一众个股跌幅也逾半根停板,板块恐慌氛围浓厚。 市场波动的背后,

是全球存储器市场的结构性变革。AI运算需求爆发式增长,推动全球存储器市场迈入新一波超级周期,2025年底相关产品

售价已大幅上涨,甚至打乱了多款电子产品2026年的生产布局。 在此背景下,长鑫存储、长江存储等国内存储大厂加速布局,抢抓市场机遇。

扩产动作迅猛的长鑫存储,已敲定上海厂区扩建计划,规划规模达

合肥总部的2至3倍,重点生产服务器、PC及车用电子所需DRAM产品;该厂区预计2026年下半年启动设备装机,2027年正式投产,投产后将显著

提升长鑫存储在全球DRAM市场的供给能力。 国内NAND Flash龙头长江存储也同步发力,其武汉三期项目原定2027年的量产目标,

有望提前至2026年下半年落地。更值得关注的是,

长江存储将调整发展策略,把新厂约50%产能转向DRAM产品,正式开启NAND与DRAM双领域并行发展模式,进一步完善国内存储产业的产品矩阵。

针对国内存储厂商的崛起与全球市场格局的变化,Yole Group亚洲区主管Gary Huang分析称,当前全球内存供给持续紧缺,为新兴业者创造了

有利发展契机;叠加国内政策支持,正推动更多客户主动寻找替代性供应来源,这不仅为长鑫存储、长江存储等国内厂商注入新的成长动能,

也将深刻重塑全球存储器市场的竞争格局。

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