2月3日消息，全球存储芯片供应紧缺背景下，国内两大存储巨头长江存储、长鑫存储正加速扩产，抢抓市场机遇。 据日经亚洲报道，

作为国内存储芯片头部企业，二者已启动史上最大规模扩产计划，致力缩小与三星、SK海力士等国际龙头的差距。

其中，国内最大DRAM厂商长鑫存储正于上海建设新工厂，新增产能预计达合肥总部基地的2-3倍，计划2026年下半年启动设备安装、

2027年正式投产，产品覆盖服务器、PC、汽车电子等领域；同时公司还在上海扩建HBM生产线，精准布局AI算力需求市场。

知情人士透露，长鑫存储合肥、北京两大工厂目前均满负荷运转，本土市场需求旺盛，公司亟待扩大产能以满足供应。

国内头部NAND厂商长江存储也在武汉建设第三座工厂，预计2027年投产。据悉，该新厂产能规划已明确，除NAND存储芯片外，

50%产能将用于DRAM制造；同时企业还将携手本土存储封装企业，研发生产适配人工智能计算场景的HBM产品。