2月3日，TrendForce集邦咨询发布存储器产业研报称，受AI与数据中心需求激增推动，全球存储器市场供需失衡加剧，2026年一季度DRAM、

NAND Flash全品类价格大幅上涨，多款产品季涨幅创历史新高，后续涨幅或进一步上修。 研报指出，此次涨价核心源于需求端爆发：AI推理应用场景持续扩容，全球云端服务商、服务器厂商对高性能存储器备货需求旺盛；

2025年四季度PC整机出货超预期，加剧PC DRAM缺货，头部PC厂商库存持续走低。 供给端则瓶颈凸显，存储器原厂更看好DRAM盈利前景，转产导致NAND Flash新增产能压缩，仅靠制程升级小幅提升产出，短期产能难以缓解，

原厂议价权显著提升，市场呈卖方特征。

价格方面，DRAM成上涨主力：整体传统DRAM合约价季增从年初预估55%-60%上调至90%-95%；PC DRAM季增105%-110%，

涨幅超一倍创历史新高；服务器、移动DRAM季增均达88%-93%，HBM混合合约价季增80%-85%。

NAND Flash整体合约价季增也从33%-38%上调至55%-60%。 此外，手机厂商存储器采购谈判进度分化，美系客户已敲定2026年一季度移动DRAM合约价，中系客户受去年四季度定价及春节影响，

谈判或至2月底才迎实质进展。此次存储器大涨，将显著影响终端电子设备生产成本与供应链备货策略。