1月20日消息，美光科技近日宣布，其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的大型DRAM内存晶圆厂项目正式破土动工。 据悉，该项目总投资额

高达1000亿美元，规划兴建四座晶圆厂，建成后将成为美国规模最大的半导体制造基地，同时为当地创造约5万个就业岗位。 美光方面表示，

这座纽约晶圆厂将跻身全球最先进的存储器制造基地行列，重点满足人工智能、数据中心及高效能运算等领域的长期市场需求。

作为美光千亿美元美国扩产计划的核心工程，该项目还获得了《芯片与科学法案》的政策支持。 按照规划，这座晶圆厂预计于2030年前后启动投产，

并在未来十年内逐步释放产能。美光强调，相关投资将助力其达成40%的DRAM产品在美国本土

生产的目标，进一步强化美国半导体供应链的韧性。 值得关注的是，美国商务部长霍华德·卢特尼克于16日出席该项目动土典礼时强硬表态，声称不在

美国本土生产的存储制造商，或将面临100%的关税惩罚。 科技新闻网站Wccftech分析指出，这一关税威胁的主要针对对象是韩国存储巨头三星与SK海力士，

中国台湾地区的南亚科、华邦电等厂商也恐将受到波及。