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内存厂商:赴美建厂或缴重税

时间:2026/01/20

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1 月 19 日消息,全球内存市场正因 AI 需求的爆发式增长陷入供应瓶颈,价格一路飙升,而在此背景下,美国政府再度加码,

强势推动 DRAM 内存产能本土回流。

近日,美国商务部长霍华德・勒特尼克(Howard Lutnick)于美光纽约新工厂的奠基仪式上,向全球内存生产商发出最后通牒:所有厂商要么

在美国本土建厂投产,要么就为产品支付 100% 的高额关税。

他明确表态:“任何想要制造内存的企业,都只有两个选择 —— 支付 100% 的关税,或者在美国本土进行生产。”

这番表态虽未点名具体企业,但矛头显然直指占据全球 DRAM 市场七成份额的一众行业巨头,其中包括韩国的三星、SK 海力士,

以及中国台湾的南亚科技、华邦电子等厂商。

从当前全球 DRAM 产业布局来看,三大头部厂商中仅有美光在美国本土拥有大规模生产线,并且还在推进总投资高达 1000 亿美元的新工厂建设。

反观三星与 SK 海力士,尽管近期均加大了在美投资力度,但投资重心却各有侧重。

其中,三星在得克萨斯州布局了先进代工厂,但截至目前并无在美建设内存晶圆厂的相关计划;SK 海力士则斥资 40 亿美元在印第安纳州落地项目,

不过该项目聚焦于 2.5D 封装与技术研发,并不涉及 DRAM 芯片的生产线建设。

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