1 月 17 日消息，去年在美国施压下，台积电宣布追加 1000 亿美元对美投资，彼时其在美芯片工厂的总投资额将达 1650 亿美元。而从最新谈判结果来看，

台积电的对美投资力度还将进一步加大。

美方明确要求，中国台湾地区相关对美投资总额不得低于 2500 亿美元，这笔巨额投资的大头显然要由台积电来承担。目前，台积电具体的增资规模尚未确定，

但可以肯定的是，此次新增投资额将超过去年追加的 1000 亿美元。

除了巨额投资的要求，美国还提出了产能转移的硬性指标。美国商务部长卢特尼克更是明确提出，要台积电在一届美国总统的 4 年任期内，将 40% 的产能

转移至美国本土工厂。针对这一要求，台积电首席财务官黄仁昭近日在接受采访时并未正面回应，仅表示台积电加快对美投资步伐，是为了响应客户需求，

且当前各项投资进展都相当顺利。

他还透露，台积电计划在美国布局 6 座晶圆生产工厂、2 座先进封装工厂以及 1 个研发中心。此前购置的首块 1160 英亩的建厂用地已不敷使用，

为此台积电又新购入了一块面积达 900 英亩的土地。

面对外界关于 “美国掏空台积电”、先进技术或将流入美国的质疑，黄仁昭强调，台积电最先进的芯片制造工艺，仍会保留在台湾地区的本土工厂。

他解释称，基于务实考量，最先进的工艺会先在本土工厂投入运行，待技术成熟稳定后，才会考虑转移至海外工厂，这个过程至少需要 1 年以上的时间。

不过，对照台积电此前的表态，不难发现其中的变化。此前台积电曾明确表示，只有落后两代的工艺，才会向海外输出。按照业界普遍的

“两年一代工艺” 的迭代节奏，这意味着本土与海外工厂的技术差距至少要拉开 4 年。但如今台积电的口径已变为，仅需量产 1 年的工艺就可以转移至美国工厂，

其中的微妙转变不言而喻。更值得注意的是，从先进工艺的技术演进规律来看，3nm 与 2nm 制程虽然看似相差一代，但技术本质上的差异其实并不显著，

未来从 2nm 到 A16 工艺的迭代，也会呈现类似的特点。这也就意味着，台积电美国工厂与本土工厂之间的技术差距，实际上远没有外界预想的那么大。