1月14日消息，DRAM内存、NAND闪存两类存储芯片的大幅涨价，正迅速传导至整个电子行业，其中内存涨价势头尤为迅猛，

DDR5内存条价格涨幅普遍达到两三倍。 这股涨价潮的持续时间远超市场预期，保守估计2026年全年都将维持上涨态势。近期，三星等存储大厂更是将新一轮合约价大幅上调50%-60%，

部分厂商的涨幅甚至突破70%。需要注意的是，这已是在2025年第三、第四季度连续涨价基础上的再度冲高。 这一轮内存涨价潮的直接诱因是AI需求的爆发，但根本原因在于内存产能增长无法匹配需求扩张的速度。当前，全球AI基建领域的年支出规模

已突破万亿美元，随之而来的是对内存、闪存的海量需求，尤其是具备记忆能力的新一代AI技术，对存储芯片的依赖程度更是与日俱增。 从市场格局来看，全球95%的内存产能集中在三星、SK海力士、美光三大厂商手中，这三家企业的产能决策直接决定了市场供应走向。 调研机构Omdia的预测数据显示，三星2026年的内存产能将提升至约793万片晶圆，相较于2025年的759万片增长5%，新增产能主要

来自平泽工厂的产能释放；SK海力士的产能预计将达到648万片晶圆，较去年的597万片增长8%，增幅高于三星，但作为全球

最大的HBM（高带宽内存）供应商，其新增产能有相当一部分将转向HBM生产，DDR、LPDDR等消费级内存的实际供应增幅或将低于8%；

美光的产能则预计维持在2025年的360万片左右，基本没有增长。 不难看出，三大厂商今年并无大规模扩产的计划。这也印证了此前的市场传闻——即便需求持续高涨，上游厂商也不愿盲目增产，

而是倾向于维持市场缺货状态，以此实现自身利益最大化。 当前，内存市场的供需矛盾已十分尖锐，整体需求满足率仅为60%左右，服务器专用内存的满足率更是不足50%，意味着市场缺货率最低在40%，

部分品类甚至超过50%。值得一提的是，AI领域的内存需求尚能得到保障，谷歌、微软、META等科技巨头资金实力雄厚，为推进AI基建不惜投入高额成本，

即便美国近期出台新规要求这些企业自行解决AI算力的电力供应问题，也未削弱其加码AI算力建设的决心。 相比之下，通用市场的厂商和普通消费者则面临更大压力。DDR、LPDDR等用于PC、手机的消费级内存，涨价趋势还将持续，且2026年的市场供应

可能进一步收缩——毕竟三大厂商新增的5%左右的产能，大多会被用于生产AI所需的HBM内存，消费级市场的产能被进一步挤占。