12月29日消息，SK海力士、三星、美光三大存储巨头正加速推进16-Hi HBM内存芯片研发，目标2026年第四季度向NVIDIA供货，用于其顶级AI加速器。 据悉，NVIDIA已向供应商明确16-Hi HBM芯片的交付需求，这也是继12-Hi HBM4之后的更高规格要求。有行业人士透露，企业已制定快速开发时间表，

性能评估最早有望在明年第三季度前启动。 作为尚未商业化的前沿技术，16-Hi HBM开发面临多重技术难题。受JEDEC标准限制，HBM4总厚度需控制在775µm，要容纳16层DRAM芯片，需将晶

圆厚度从现有50µm压缩至30µm左右，超薄晶圆加工易损坏。 粘合工艺与散热也是关键挑战：三星、美光采用TC-NCF技术，SK海力士坚持MR-MUF工艺，且粘合材料厚度需缩减至10µm以下，如何在轻薄化后保障

散热效率，成为三家企业的核心攻关方向。16-Hi HBM也被视作半导体行业的重要技术分水岭。