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日本联手英特尔,研发 HBM 替代内存

时间:2025/12/29

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12月26日消息,HBM内存已成高性能AI领域的核心刚需,其市场价值有望很快赶超GPU,当前这一赛道的主导权牢牢掌握在三星、SK海力士两大韩企手中。 曾稳坐全球内存市场头把交椅的日本,鼎盛时期甚至倒逼英特尔退出内存领域、转向CPU赛道突围;但此后日本内存产业不敌韩企冲击,在尔必达破产后,

本土企业便再未涉足内存市场。 如今日本正全力重返该赛道:继软银此前与英特尔联手研发新型内存后,日本电子巨头富士通也正式加入这一联盟。富士通手握日本最强超算建设订单,对高性

能内存有着极高的需求,成为此次研发的重要推动力。 据悉,该项目预计总投资5100万美元,计划2027年春季完成内存原型研制,2029年启动大规模量产。研发资金除软银、英特尔、富士通三方投入外,还将获得

日本理化研究所(RNI)及日本政府的专项补贴支持。 这款新型内存以替代HBM为核心目标,暂未披露具体规格,但官宣将实现**存储容量提升2-3倍、功耗降低50%** 的关键突破;产品采用3D堆栈架构,可大幅

提升存储密度,台积电也将参与该款内存的制造环节。


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