12月17日消息，据The Elec报道，三星与三星先进技术研究所联合宣布，成功研发出可在10纳米以下制程节点生产DRAM的新型晶体管。 这一技术突破将解决移动内存进一步微缩面临的关键物理难题，为未来设备带来更高容量与性能提升。传统DRAM制程进入10纳米以下节点后，

受物理极限制约遭遇严峻挑战，而此次推出的“高耐热非晶氧化物半导体晶体管”，具备出色的高温稳定性，可在550摄氏度环境下保持性能不衰退，

完全适配先进制造工艺需求。 该晶体管采用垂直沟道设计，沟道长度仅100纳米，且能与单片CoP DRAM架构集成。测试数据显示，其漏极电流表现稳定，

长期老化测试中也保持了良好可靠性。 三星方面表示，该技术计划应用于未来0a与0b级别DRAM产品，目前仍处于研究阶段。预计搭载该技术的存储芯片，将助力三星稳固高密度内存市场竞争力，

2026年起有望陆续应用于终端设备。