11月27日消息，三星宣布在存储技术领域实现重大突破，成功研发出新型NAND闪存结构，功耗降幅超90%。这一成果或将重塑AI数据中心、移动设备等终端

产品的发展格局，为依赖存储芯片的行业带来变革。 据ETNews报道，该超低功耗NAND闪存技术由三星先进技术研究院（SAIT）主导研发。其创新之处在于将铁电材料与氧化物半导体相融合，相关研究成果已发表

于顶尖科学期刊《自然》（Nature）。 NAND闪存作为非易失性存储介质，断电后仍可长期保存数据，核心通过向存储单元注入电子实现数据写入。为提升存储密度，业界普遍采用堆叠更多存储层的方案，

但这也导致数据读写能耗大幅增加，尤其在大规模数据中心场景中，功耗问题已成为关键瓶颈。 三星研究团队成功攻克了这一行业痛点。氧化物半导体曾因阈值电压不稳定难以控制，被视为技术障碍，而团队通过与铁电结构协同设计，将这一“劣势”转化

为优势——铁电材料具备自维持电极化特性，无需持续供电即可保持状态。 凭借这一创新设计，新架构实现了96%的功耗降幅。该技术完全由三星内部自主研发，由SAIT与半导体研究所共34名研究人员联合完成。 “我们已验证超低功耗NAND闪存的可行性。”本研究第一作者、三星SAIT研究员Yoo Si-jeong表示，

“AI生态中存储器的作用愈发关键，未来将持续推进研究，推动技术商业化落地。” 与此同时，三星正聚焦提升存储业务盈利能力。当前DDR5、LPDDR5X及GDDR7等DRAM产品需求攀升、价格上涨，公司将优化高附加值产品供应策略，

进一步强化盈利结构。