11月25日消息，长鑫存储在IC China 2025（中国国际半导体博览会）上正式发布最新DDR5及LPDDR5X产品，向韩美存储大厂发起冲击。 长鑫此次推出的DDR5系列，最高速率达8000Mbps、颗粒容量24Gb，均跻身国际领先水平，同步覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。

上月已发布的LPDDR5X系列则瞄准移动市场旗舰机型，最高速率10667Mbps、颗粒容量16Gb，提供12GB至32GB多规格封装方案。这也是长鑫作为国产代表，

首度正式展示DDR5实际产品。 半导体产业指出，该DDR5速率较上一代提升25%，技术路线已追上韩国企业，性能足以适配最先进CPU服务器。数据显示，长鑫存储第三季DRAM

市占率达8%（排名第四），长江存储同期NAND市占率为13%。 尽管美国对EUV关键设备的出口封锁放缓了中国企业的扩张步伐，但国产与韩国在通用DRAM市场的技术差距已缩小至不足一年。韩媒分析，

2030年3D DRAM时代来临后，行业竞争或生变数。这种堆叠式内存对EUV光刻设备需求下降，有望成为中国企业实现超车的契机。首尔大学Hwang Cheol-seong教授

也表示，当前中韩内存技术差距已近乎消失，五年后中国有望进一步崛起。