三星 2nm 工艺:能效升 8% 良品率不足六成
11月18日消息,三星电子首次披露2nm工艺量产进展及核心技术指标。相较3nm制程,该新工艺实现性能提升5%、能效优化8%,同时芯片面积缩减5%。 尽管性能提升幅度不及业界此前预期,但这一进展标志着GAA(全环绕栅极)晶体管架构在更先进工艺节点的持续成熟与演进。

据悉,三星首款搭载2nm工艺的SoC为自研的Exynos 2600芯片,目前其良品率传闻在50%-60%区间。这款芯片的量产表现将直接检验三星晶圆代工的技术
硬实力——在10nm以下高难度先进制程领域,良品率的突破已成为厂商争夺客户的核心竞争力。
当前全球晶圆代工市场格局中,台积电以70.2%的市场份额稳居首位,而三星虽位列第二,但7.3%的市占率与台积电相差近十倍。
针对晶圆代工业务,三星已设定明确新目标:通过持续提升2nm工艺良品率、与高价值客户构建长期合作关系,力争两年内实现该业务盈利,并抢占20%的市场份额。
