11 月 12 日消息，集邦咨询 Trendforce 于 11 月 11 日发文称，“HBM 之父” 金正浩预测，AI 时代的技术话语权正从 GPU 向内存转移，高带宽闪存（HBF）将成为

继高带宽内存（HBM）之后的行业新赛道。金正浩是韩国科学技术院（KAIST）电气工程学系教授，因将 HBM 从概念落地为现实，成为该领域关键人物。他在

硅通孔（TSV）、中介层（interposer）、信号线设计（SI）及电源线设计（PI）等 HBM 核心技术领域，做出了获全球认可的创新研究。

在 YouTube 频道做客时，金正浩提出重磅观点：“AI 时代，权力天平正从 GPU 转向内存”。他认为内存将在人工智能发展中扮演愈发关键的角色，甚至推测英伟达

未来可能收购内存企业。他同时强调高带宽闪存（HBF）的崛起潜力，预计该技术将在 2026 年初取得新突破，并于 2027-2028 年间正式亮相。当前，

传统硬盘（HDD）行业正艰难向高成本的热辅助磁记录（HAMR）技术转型，近线固态硬盘（Nearline SSD）凭借成本效益成为热门替代方案，而 HBF 被视为突破 AI

集群存储容量瓶颈的关键技术。在 AI 推理时代，内存容量至关重要，键值缓存（KV Caching）等技术直接影响 AI 模型响应速度，因此金正浩认为 HBF 将与 HBM

并驾齐驱，成为下一代主流内存技术。从技术概念来看，HBF 与 HBM 有相似之处，均采用硅通孔（TSV）技术垂直堆叠多层芯片。不同的是，HBF 基于

NAND 闪存构建，在容量和成本上具备显著优势。金正浩指出，尽管 NAND 闪存速度不及 DRAM，但其容量可达到后者的 10 倍以上，通过堆叠成百上千层，

HBF 能满足 AI 模型的海量存储需求，堪称 “HBM 的 NAND 版本”。行业巨头已加速布局 HBF 领域。2025 年 8 月，SanDisk 与 SK 海力士签署谅解备忘录（MoU），

计划共同制定 HBF 技术规范并推动标准化，目标在 2026 年下半年发布 HBF 内存样品，首批采用 HBF 的 AI 推理系统预计 2027 年初问世。值得关注的是，在 10 月中旬

举办的 2025 年 OCP 全球峰会上，SK 海力士已率先展示全新 “AIN Family” 存储产品系列，其中就包含采用 HBF 技术的 AIN B 系列。三星电子也已启动自有 HBF 产品

的早期概念设计，拟凭借高性能存储领域的研发经验，满足数据中心对高带宽闪存日益增长的需求，不过该项目仍处初期阶段，具体规格和量产时间表尚未最终确定。

展望未来，金正浩将 AI 的多层级内存体系比作智能图书馆：GPU 内的 SRAM 如同桌面笔记，速度最快但容量最小；HBM 类似旁边的书架，用于快速存取和计算；

HBF 则是地下书库，负责存储海量 AI 知识并持续为 HBM 输送数据。他预测，未来 GPU 将同时集成 HBM 与 HBF 形成互补配置，标志着计算与存储融合的新纪元到来。