10 月 26 日国内媒体消息，我国芯片领域再获突破，此次进展聚焦光刻胶领域。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者，借助冷冻

电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析出光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，并据此开发出能显著减少光刻缺陷的

产业化方案，相关论文已刊发于《自然通讯》。光刻胶相当于刻画电路的 “颜料”，其在显影液中的运动状态，直接决定电路精度与质量，进而影响

芯片良率。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为如同 “黑匣子”，工业界只能通过反复试错优化工艺，这也成为制约 7nm 及以下先进制程良率

提升的关键瓶颈。此次研究中，团队成功合成分辨率优于 5nm 的微观三维 “全景照片”，一举攻克传统技术无法实现原位、三维、高分辨率观测的

三大难题。