10 月 12 日消息，受 HBM4 涨价、DRAM 产能紧缺影响，瑞银预测三星电子有望在 2027 年反超 SK 海力士，登顶全球 HBM 市场。

瑞银测算，三星 HBM 出货市占率将从 2025 年 20%，升至 2026 年 31%，2027 年进一步达到 40%；届时 SK 海力士份额回落至 39%，

三星将首次实现超越。Counterpoint 数据同样印证三星提速：三星 HBM 收入占比由 2026 年 Q1 的 21% 上涨至 Q2 的 33%，

SK 海力士则从 58% 下滑至 50%，双方差距大幅收窄。

三星的核心底气在于 HBM4 量产。2026 年 2 月三星率先量产 HBM4，采用 4nm 基底搭配 1c nm DRAM，单引脚速率最高可达 13Gbps，

远超 JEDEC 标准。早期良率不足 60%，现已提升至约 80%。产能方面，三星计划 2027 年 HBM4/HBM4E 产量较 2026 年翻倍，

HBM 晶圆月投片量从 18 万片增至 25 万片，增幅 40%，HBM4 系列占总出货比重将达 80%。

2026 年 SK 海力士依旧领跑。Counterpoint 预估，今年 HBM4 市场 SK 海力士占 54%，三星 28%，美光 18%。

SK 海力士 7 月已量产交付英伟达 12 层 HBM4，是全球首款完成全认证落地的 HBM4 产品。

价格层面，集邦咨询上调预期，预计 2027 年 HBM 混合均价同比大涨 121%，主要由 HBM4 占比提升、下半年 HBM4E 放量驱动。

三星能否如期完成反超，取决于 HBM4 良率持续稳定与先进封装产能保障。HBM 王座争夺战，已进入关键冲刺期。