9 月 19 日消息，群联电子执行长潘健成在电视节目中谈及长江存储感慨颇多：早前几乎无人看好其研发前景，

如今长江存储 NAND 闪存市占率已从近乎 0% 增长至约 14%。被问及后续成长空间时，他仅留下四字评价：“等着看吧。”

Counterpoint Research 2026 年第二季度数据印证了这一判断，长江存储 NAND 闪存出货份额达 14%，

首次跻身全球第三，仅次于三星 25%、SK 海力士 22%，小幅超越铠侠与美光。

群联与长江存储的合作始于 2016 年。潘健成回忆，彼时长江存储前身武汉新芯起步阶段，外界普遍不看好国内团队攻克 3D NAND 技术，

但群联看好其技术路线潜力，投入工程资源协同研发。从 32 层技术验证，到 267 层闪存实现量产，完整见证了国内半导体追赶的速度。

潘健成分析，长江存储作为后进入局者，没有老旧技术包袱，采用差异化架构与晶圆堆叠方案。在其他厂商扩产趋于保守的环境下，

若长江存储持续释放产能，市占率仍有上行空间。

DRAM 赛道同样进展迅速。Counterpoint 数据显示，长鑫存储 2026 年二季度全球 DRAM 营收份额提升至 10%，同比增长 4 个百分点，

稳居全球第四，持续缩小与三星、SK 海力士、美光的差距。

供应链端信号同样积极。有消息显示苹果正在测试长鑫 DRAM 芯片，计划用于国内发售的 iPhone 与 Mac 产品。

库克曾把存储供应链压力比作 “百年一遇的洪水”，苹果已连续三个财季面临存储成本上涨压力。

潘健成认为，庞大的本土市场，为国产存储的研发、验证与量产提供有力支撑。2022 至 2024 年存储行业下行周期，海外厂商纷纷裁员减产，

国内存储企业依托政策与资金支持持续推进研发。美国出口管制本意在限制设备供给，客观上反倒倒逼国内半导体设备与配套产业链加速完善。